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                氮化镓单晶基片

                • 产品名称: 氮化镓单晶基片
                • 产品分类: 氮化镓单晶基片
                • 公司名称: 山东科恒晶体材料科技有限公司
                • 添加时间: 18/01/30
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                性能:

                氮化镓?作为第三代半导体,也被诺贝尔物博乐彩票登录理学获奖者中村修二称之为“终极衬底”,其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度?高、抗辐射能力强和良好的化学稳博乐彩票登录定性?等优越性质,使得它成为?迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系,并可?以成为制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件的关键基础材料。

                指标:

                2英寸直径蓝宝石?衬底外延GaN厚膜

                厚度: 10~50µm(蓝宝石?衬底外延GaN)

                位错密度:小于1×107 cm-2

                TTV:≦ 10 µm

                BOW:≦ 15 µm

                •自支撑GaN单晶衬底

                厚度: 400.0μm ±30.0μm,300μm ±30.0  μm,

                位错密度:小于5×106 cm-2

                TTV:≦ 10 µm

                BOW:≦ 15 µm

                粗糙度:Ra≤0.2 nm


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                山东科恒晶体材料科技有限公司
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